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APTGT35H120T3G

APTGT35H120T3G

僅供參考

型號 APTGT35H120T3G
PNEDA編號 APTGT35H120T3G
描述 IGBT MOD TRENCH FULL BRIDGE SP3
制造商 Microsemi
單價 請求報價
庫存 4,878
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 六月 11 - 六月 16 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

APTGT35H120T3G資源

品牌 Microsemi
ECAD Module ECAD
制造商零件編號APTGT35H120T3G
類別半導體晶體管晶體管-IGBT-模塊

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APTGT35H120T3G規格

制造商Microsemi Corporation
系列-
IGBT類型Trench Field Stop
配置Full Bridge Inverter
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)1200V
當前-集電極(Ic)(最大值)55A
功率-最大208W
Vce(on)(Max)@ Vge,Ic2.1V @ 15V, 35A
當前-集電極截止(最大值)250µA
輸入電容(Cies)@ Vce2.5nF @ 25V
輸入Standard
NTC熱敏電阻Yes
工作溫度-40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Chassis Mount
包裝/箱SP3
供應商設備包裝SP3

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當前-集電極(Ic)(最大值)

300A

功率-最大

2100W

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

4.2V @ 15V, 300A

當前-集電極截止(最大值)

1mA

輸入電容(Cies)@ Vce

60nF @ 10V

輸入

Standard

NTC熱敏電阻

No

工作溫度

-40°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Chassis Mount

包裝/箱

Module

供應商設備包裝

Module

APTCV50H60T3G

Microsemi

制造商

Microsemi Corporation

系列

-

IGBT類型

NPT, Trench Field Stop

配置

Full Bridge

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

600V

當前-集電極(Ic)(最大值)

80A

功率-最大

176W

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

1.9V @ 15V, 50A

當前-集電極截止(最大值)

250µA

輸入電容(Cies)@ Vce

3.15nF @ 25V

輸入

Standard

NTC熱敏電阻

Yes

工作溫度

-40°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Chassis Mount

包裝/箱

SP3

供應商設備包裝

SP3

制造商

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系列

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IGBT類型

PT

配置

Single

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

1200V

當前-集電極(Ic)(最大值)

88A

功率-最大

290W

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.1V @ 15V, 50A

當前-集電極截止(最大值)

100µA

輸入電容(Cies)@ Vce

-

輸入

Standard

NTC熱敏電阻

No

工作溫度

-40°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Chassis, Stud Mount

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-

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-

功率-最大

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Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

-

當前-集電極截止(最大值)

-

輸入電容(Cies)@ Vce

-

輸入

-

NTC熱敏電阻

-

工作溫度

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制造商

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配置

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

1200V

當前-集電極(Ic)(最大值)

400A

功率-最大

1250W

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.4V @ 15V, 160A

當前-集電極截止(最大值)

100µA

輸入電容(Cies)@ Vce

9.3nF @ 25V

輸入

Standard

NTC熱敏電阻

Yes

工作溫度

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安裝類型

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