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APTC60DSKM70T3G

APTC60DSKM70T3G

僅供參考

型號 APTC60DSKM70T3G
PNEDA編號 APTC60DSKM70T3G
描述 MOSFET 2N-CH 600V 39A SP3
制造商 Microsemi
單價 請求報價
庫存 7,146
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 五月 19 - 五月 24 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

APTC60DSKM70T3G資源

品牌 Microsemi
ECAD Module ECAD
制造商零件編號APTC60DSKM70T3G
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-陣列
數據表
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APTC60DSKM70T3G規格

制造商Microsemi Corporation
系列-
FET類型2 N-Channel (Dual)
FET功能Standard
漏極至源極電壓(Vdss)600V
電流-25°C時的連續漏極(Id)39A
Rds On(Max)@ Id,Vgs70mOhm @ 39A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID3.9V @ 2.7mA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs259nC @ 10V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds7000pF @ 25V
功率-最大250W
工作溫度-40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Chassis Mount
包裝/箱SP3
供應商設備包裝SP3

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

48mOhm @ 5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

9nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

68mOhm @ 2A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1V @ 250µA

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

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Vgs(th)(最大)@ ID

1.3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

38nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

8.1mOhm @ 15A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

11nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

650pF @ 25V

功率-最大

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