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APT50GP60JDQ2

APT50GP60JDQ2

僅供參考

型號 APT50GP60JDQ2
PNEDA編號 APT50GP60JDQ2
描述 IGBT 600V 100A 329W SOT227
制造商 Microsemi
單價 請求報價
庫存 5,670
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 五月 18 - 五月 23 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

APT50GP60JDQ2資源

品牌 Microsemi
ECAD Module ECAD
制造商零件編號APT50GP60JDQ2
類別半導體晶體管晶體管-IGBT-模塊

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APT50GP60JDQ2規格

制造商Microsemi Corporation
系列POWER MOS 7®
IGBT類型PT
配置Single
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)600V
當前-集電極(Ic)(最大值)100A
功率-最大329W
Vce(on)(Max)@ Vge,Ic2.7V @ 15V, 50A
當前-集電極截止(最大值)525µA
輸入電容(Cies)@ Vce5.7nF @ 25V
輸入Standard
NTC熱敏電阻No
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Chassis Mount
包裝/箱SOT-227-4, miniBLOC
供應商設備包裝ISOTOP®

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Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

-

當前-集電極截止(最大值)

-

輸入電容(Cies)@ Vce

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輸入

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NTC熱敏電阻

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Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.3V @ 15V, 100A

當前-集電極截止(最大值)

3mA

輸入電容(Cies)@ Vce

9nF @ 25V

輸入

Standard

NTC熱敏電阻

No

工作溫度

-40°C ~ 150°C

安裝類型

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Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

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當前-集電極截止(最大值)

3mA

輸入電容(Cies)@ Vce

37nF @ 25V

輸入

Standard

NTC熱敏電阻

Yes

工作溫度

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安裝類型

Chassis Mount

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

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Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.1V @ 15V, 150A

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當前-集電極(Ic)(最大值)

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