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APT45GR65B2DU30

APT45GR65B2DU30

僅供參考

型號 APT45GR65B2DU30
PNEDA編號 APT45GR65B2DU30
描述 INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO
制造商 Microsemi
單價 請求報價
庫存 5,742
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 五月 16 - 五月 21 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

APT45GR65B2DU30資源

品牌 Microsemi
ECAD Module ECAD
制造商零件編號APT45GR65B2DU30
類別半導體晶體管晶體管-IGBT-單

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APT45GR65B2DU30規格

制造商Microsemi Corporation
系列-
IGBT類型NPT
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)650V
當前-集電極(Ic)(最大值)118A
電流-集電極脈沖(Icm)224A
Vce(on)(Max)@ Vge,Ic2.4V @ 15V, 45A
功率-最大543W
開關能量-
輸入類型Standard
門禁費用203nC
25°C時的Td(開/關)15ns/100ns
測試條件433V, 45A, 4.3Ohm, 15V
反向恢復時間(trr)80ns
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Through Hole
包裝/箱TO-247-3
供應商設備包裝T-MAX™ [B2]

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1700V

當前-集電極(Ic)(最大值)

75A

電流-集電極脈沖(Icm)

200A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

3.3V @ 15V, 32A

功率-最大

350W

開關能量

11mJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

155nC

25°C時的Td(開/關)

45ns/270ns

測試條件

1020V, 32A, 2.7Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

-

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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制造商

IXYS

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IGBT類型

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

600V

當前-集電極(Ic)(最大值)

14A

電流-集電極脈沖(Icm)

30A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.5V @ 15V, 7A

功率-最大

75W

開關能量

120µJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

25nC

25°C時的Td(開/關)

10ns/65ns

測試條件

480V, 7A, 18Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

35ns

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

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ON Semiconductor

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Trench Field Stop

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

650V

當前-集電極(Ic)(最大值)

-

電流-集電極脈沖(Icm)

120A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2V @ 15V, 35A

功率-最大

-

開關能量

-

輸入類型

Standard

門禁費用

-

25°C時的Td(開/關)

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測試條件

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反向恢復時間(trr)

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工作溫度

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制造商

IXYS

系列

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IGBT類型

NPT

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

1200V

當前-集電極(Ic)(最大值)

60A

電流-集電極脈沖(Icm)

-

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

3V @ 15V, 40A

功率-最大

300W

開關能量

6.1mJ (on), 3mJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

150nC

25°C時的Td(開/關)

-

測試條件

600V, 40A, 39Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

180ns

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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Trench Field Stop

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

650V

當前-集電極(Ic)(最大值)

17A

電流-集電極脈沖(Icm)

60A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.1V @ 15V, 20A

功率-最大

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門禁費用

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