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APT40GR120B2D30

APT40GR120B2D30

僅供參考

型號 APT40GR120B2D30
PNEDA編號 APT40GR120B2D30
描述 IGBT 1200V 88A 500W TO247
制造商 Microsemi
單價 請求報價
庫存 7,380
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 六月 12 - 六月 17 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

APT40GR120B2D30資源

品牌 Microsemi
ECAD Module ECAD
制造商零件編號APT40GR120B2D30
類別半導體晶體管晶體管-IGBT-單
數據表
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APT40GR120B2D30規格

制造商Microsemi Corporation
系列-
IGBT類型NPT
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)1200V
當前-集電極(Ic)(最大值)88A
電流-集電極脈沖(Icm)160A
Vce(on)(Max)@ Vge,Ic3.2V @ 15V, 40A
功率-最大500W
開關能量1.38mJ (on), 906µJ (off)
輸入類型Standard
門禁費用210nC
25°C時的Td(開/關)22ns/163ns
測試條件600V, 40A, 4.3Ohm, 15V
反向恢復時間(trr)-
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Through Hole
包裝/箱TO-247-3
供應商設備包裝TO-247-3

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

650V

當前-集電極(Ic)(最大值)

135A

電流-集電極脈沖(Icm)

380A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.4V @ 15V, 95A

功率-最大

446W

開關能量

-

輸入類型

Standard

門禁費用

420nC

25°C時的Td(開/關)

29ns/226ns

測試條件

433V, 95A, 4.3Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

-

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

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供應商設備包裝

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IGBT類型

Field Stop

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

650V

當前-集電極(Ic)(最大值)

100A

電流-集電極脈沖(Icm)

180A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.4V @ 15V, 60A

功率-最大

428W

開關能量

920µJ (on), 530µJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

95nC

25°C時的Td(開/關)

42ns/142ns

測試條件

400V, 60A, 7Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

205ns

工作溫度

-40°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

TO-247-3

供應商設備包裝

TO-247

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制造商

STMicroelectronics

系列

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IGBT類型

Trench Field Stop

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

650V

當前-集電極(Ic)(最大值)

12A

電流-集電極脈沖(Icm)

24A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2V @ 15V, 6A

功率-最大

88W

開關能量

40µJ (on), 136µJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

21.2nC

25°C時的Td(開/關)

12ns/86ns

測試條件

400V, 6A, 22Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

140ns

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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供應商設備包裝

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IGBT類型

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

400V

當前-集電極(Ic)(最大值)

-

電流-集電極脈沖(Icm)

150A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

8V @ 4.5V, 150A

功率-最大

45W

開關能量

-

輸入類型

Standard

門禁費用

-

25°C時的Td(開/關)

-

測試條件

-

反向恢復時間(trr)

-

工作溫度

-40°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

1200V

當前-集電極(Ic)(最大值)

80A

電流-集電極脈沖(Icm)

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