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APT25GR120BSCD10

APT25GR120BSCD10

僅供參考

型號 APT25GR120BSCD10
PNEDA編號 APT25GR120BSCD10
描述 IGBT 1200V 75A 521W TO247
制造商 Microsemi
單價 請求報價
庫存 5,472
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 五月 20 - 五月 25 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

APT25GR120BSCD10資源

品牌 Microsemi
ECAD Module ECAD
制造商零件編號APT25GR120BSCD10
類別半導體晶體管晶體管-IGBT-單
數據表
APT25GR120BSCD10, APT25GR120BSCD10數據表 (總頁數: 7, 大小: 1,088.85 KB)
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APT25GR120BSCD10規格

制造商Microsemi Corporation
系列-
IGBT類型NPT
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)1200V
當前-集電極(Ic)(最大值)75A
電流-集電極脈沖(Icm)100A
Vce(on)(Max)@ Vge,Ic3.2V @ 15V, 25A
功率-最大521W
開關能量434µJ (on), 466µJ (off)
輸入類型Standard
門禁費用203nC
25°C時的Td(開/關)16ns/122ns
測試條件600V, 25A, 4.3Ohm, 15V
反向恢復時間(trr)-
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Through Hole
包裝/箱TO-247-3
供應商設備包裝TO-247

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75A

電流-集電極脈沖(Icm)

180A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.5V @ 15V, 45A

功率-最大

300W

開關能量

14mJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

170nC

25°C時的Td(開/關)

55ns/370ns

測試條件

960V, 45A, 5Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

-

工作溫度

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14A

電流-集電極脈沖(Icm)

42A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.4V @ 15V, 7.8A

功率-最大

49W

開關能量

240µJ (on), 260µJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

23nC

25°C時的Td(開/關)

17ns/160ns

測試條件

480V, 7.8A, 75Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

28ns

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

650V

當前-集電極(Ic)(最大值)

74A

電流-集電極脈沖(Icm)

120A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.1V @ 15V, 40A

功率-最大

255W

開關能量

360µJ (on), 100µJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

95nC

25°C時的Td(開/關)

19ns/160ns

測試條件

400V, 20A, 15Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

60ns

工作溫度

-40°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

600V

當前-集電極(Ic)(最大值)

40A

電流-集電極脈沖(Icm)

160A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.5V @ 15V, 20A

功率-最大

160W

開關能量

110µJ (on), 230µJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

98nC

25°C時的Td(開/關)

27ns/100ns

測試條件

480V, 20A, 10Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

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工作溫度

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