APT25GP120BDQ1G
僅供參考
| 型號 | APT25GP120BDQ1G | ||||||||||||||||||
| PNEDA編號 | APT25GP120BDQ1G | ||||||||||||||||||
| 描述 | IGBT 1200V 69A 417W TO247 | ||||||||||||||||||
| 制造商 | Microsemi | ||||||||||||||||||
| 單價 |
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| 庫存 | 493 | ||||||||||||||||||
| 倉庫 | Shipped from Hong Kong SAR | ||||||||||||||||||
| 預計交貨 | 七月 13 - 七月 18 (選擇加急運輸) | ||||||||||||||||||
| Guarantee | 可達壹年的[PNEDA-Warranty]* | ||||||||||||||||||
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APT25GP120BDQ1G資源
| 品牌 | Microsemi |
| ECAD Module |
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| 制造商零件編號 | APT25GP120BDQ1G |
| 類別 | 半導體 › 晶體管 › 晶體管-IGBT-單 |
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APT25GP120BDQ1G規格
| 制造商 | Microsemi Corporation |
| 系列 | POWER MOS 7® |
| IGBT類型 | PT |
| 電壓-集電極發射極擊穿（最大值） | 1200V |
| 當前-集電極（Ic）（最大值） | 69A |
| 電流-集電極脈沖（Icm） | 90A |
| Vce（on）（Max）@ Vge，Ic | 3.9V @ 15V, 25A |
| 功率-最大 | 417W |
| 開關能量 | 500µJ (on), 440µJ (off) |
| 輸入類型 | Standard |
| 門禁費用 | 110nC |
| 25°C時的Td（開/關） | 12ns/70ns |
| 測試條件 | 600V, 25A, 5Ohm, 15V |
| 反向恢復時間（trr） | - |
| 工作溫度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 安裝類型 | Through Hole |
| 包裝/箱 | TO-247-3 |
| 供應商設備包裝 | TO-247 [B] |
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