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APT13003DZTR-G1

APT13003DZTR-G1

僅供參考

型號 APT13003DZTR-G1
PNEDA編號 APT13003DZTR-G1
描述 TRANS NPN 450V 1.5A TO92
制造商 Diodes Incorporated
單價 請求報價
庫存 22,458
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 五月 20 - 五月 25 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

APT13003DZTR-G1資源

品牌 Diodes Incorporated
ECAD Module ECAD
制造商零件編號APT13003DZTR-G1
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-單
數據表
APT13003DZTR-G1, APT13003DZTR-G1數據表 (總頁數: 7, 大小: 385.08 KB)
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APT13003DZTR-G1規格

制造商Diodes Incorporated
系列-
晶體管類型NPN
當前-集電極(Ic)(最大值)1.5A
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)450V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic400mV @ 250mA, 1A
當前-集電極截止(最大值)-
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce5 @ 1A, 2V
功率-最大1.1W
頻率-過渡4MHz
工作溫度-65°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Through Hole
包裝/箱TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
供應商設備包裝TO-92

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

-

當前-集電極截止(最大值)

-

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

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當前-集電極(Ic)(最大值)

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

500mV @ 50mA, 1A

當前-集電極截止(最大值)

1µA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

130 @ 500mA, 2V

功率-最大

1W

頻率-過渡

200MHz

工作溫度

150°C (TJ)

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

1V @ 1A, 4A

當前-集電極截止(最大值)

100µA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

10 @ 2A, 5V

功率-最大

75W

頻率-過渡

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工作溫度

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當前-集電極(Ic)(最大值)

4A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

100V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

2.5V @ 30mA, 1.5A

當前-集電極截止(最大值)

500µA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

750 @ 1.5A, 3V

功率-最大

40W

頻率-過渡

-

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

TO-225AA, TO-126-3

供應商設備包裝

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晶體管類型

PNP

當前-集電極(Ic)(最大值)

500mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

30V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

250mV @ 5mA, 50mA

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

30 @ 50mA, 5V

功率-最大

625mW

頻率-過渡

100MHz

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)

供應商設備包裝

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