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AFT26HW050GSR3

AFT26HW050GSR3

僅供參考

型號 AFT26HW050GSR3
PNEDA編號 AFT26HW050GSR3
描述 FET RF 2CH 65V 2.69GHZ NI780-4
制造商 NXP
單價 請求報價
庫存 5,904
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 六月 21 - 六月 26 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

AFT26HW050GSR3資源

品牌 NXP
ECAD Module ECAD
制造商零件編號AFT26HW050GSR3
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-RF
數據表
AFT26HW050GSR3, AFT26HW050GSR3數據表 (總頁數: 21, 大小: 754.71 KB)
PDFAFT26H050W26SR3數據表 封面
AFT26H050W26SR3數據表 頁面 2 AFT26H050W26SR3數據表 頁面 3 AFT26H050W26SR3數據表 頁面 4 AFT26H050W26SR3數據表 頁面 5 AFT26H050W26SR3數據表 頁面 6 AFT26H050W26SR3數據表 頁面 7 AFT26H050W26SR3數據表 頁面 8 AFT26H050W26SR3數據表 頁面 9 AFT26H050W26SR3數據表 頁面 10 AFT26H050W26SR3數據表 頁面 11

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AFT26HW050GSR3規格

制造商NXP USA Inc.
系列-
晶體管類型LDMOS (Dual)
頻率2.69GHz
增益14.2dB
電壓-測試28V
額定電流(安培)-
噪聲系數-
當前-測試100mA
功率-輸出9W
電壓-額定65V
包裝/箱NI-780GS
供應商設備包裝NI-780GS

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30V

額定電流(安培)

-

噪聲系數

-

當前-測試

100mA

功率-輸出

320W

電壓-額定

65V

包裝/箱

NI-1230S

供應商設備包裝

NI-1230S

制造商

NXP USA Inc.

系列

-

晶體管類型

LDMOS

頻率

880MHz

增益

21.1dB

電壓-測試

28V

額定電流(安培)

-

噪聲系數

-

當前-測試

450mA

功率-輸出

14W

電壓-額定

66V

包裝/箱

TO-270AA

供應商設備包裝

TO-270-2

PTFA212001FV4R250XTMA1

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制造商

Infineon Technologies

系列

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晶體管類型

LDMOS

頻率

2.14GHz

增益

15.8dB

電壓-測試

30V

額定電流(安培)

10µA

噪聲系數

-

當前-測試

1.6A

功率-輸出

50W

電壓-額定

65V

包裝/箱

2-Flatpack, Fin Leads, Flanged

供應商設備包裝

H-37260-2

制造商

NXP USA Inc.

系列

-

晶體管類型

pHEMT FET

頻率

3.55GHz

增益

11dB

電壓-測試

12V

額定電流(安培)

-

噪聲系數

-

當前-測試

80mA

功率-輸出

4.5W

電壓-額定

15V

包裝/箱

PLD-1.5

供應商設備包裝

PLD-1.5

制造商

NXP USA Inc.

系列

-

晶體管類型

LDMOS

頻率

895MHz

增益

21.1dB

電壓-測試

28V

額定電流(安培)

-

噪聲系數

-

當前-測試

1.5A

功率-輸出

70W

電壓-額定

70V

包裝/箱

NI-880

供應商設備包裝

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