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ADA114EUQ-13

ADA114EUQ-13

僅供參考

型號 ADA114EUQ-13
PNEDA編號 ADA114EUQ-13
描述 PREBIAS TRANSISTOR SOT363
制造商 Diodes Incorporated
單價 請求報價
庫存 7,308
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 五月 20 - 五月 25 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

ADA114EUQ-13資源

品牌 Diodes Incorporated
ECAD Module ECAD
制造商零件編號ADA114EUQ-13
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-陣列,預偏置
數據表
ADA114EUQ-13, ADA114EUQ-13數據表 (總頁數: 7, 大小: 322.23 KB)
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ADA114EUQ-13規格

制造商Diodes Incorporated
系列Automotive, AEC-Q101
晶體管類型2 PNP Pre-Biased (Dual)
當前-集電極(Ic)(最大值)100mA
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)50V
電阻-基本(R1)10kOhms, 10kOhms
電阻-發射極基(R2)10kOhms, 10kOhms
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce-
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic-
當前-集電極截止(最大值)-
頻率-過渡250MHz
功率-最大270mW
安裝類型Surface Mount
包裝/箱6-TSSOP, SC-88, SOT-363
供應商設備包裝SOT-363

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

50V

電阻-基本(R1)

220Ohms

電阻-發射極基(R2)

10kOhms

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

82 @ 100mA, 5V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

300mV @ 5mA, 100mA

當前-集電極截止(最大值)

500nA

頻率-過渡

250MHz

功率-最大

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電阻-基本(R1)

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電阻-發射極基(R2)

2.2kOhms

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

20 @ 20mA, 5V / 180 @ 1mA, 6V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

300mV @ 500µA, 10mA / 500mV @ 5mA, 50mA

當前-集電極截止(最大值)

500nA

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晶體管類型

1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)

當前-集電極(Ic)(最大值)

100mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

50V

電阻-基本(R1)

10kOhms

電阻-發射極基(R2)

-

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

160 @ 5mA, 10V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

250mV @ 300µA, 10mA

當前-集電極截止(最大值)

500nA

頻率-過渡

150MHz, 80MHz

功率-最大

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2 NPN - Pre-Biased (Dual)

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100mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

50V

電阻-基本(R1)

10kOhms

電阻-發射極基(R2)

1kOhms

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

30 @ 10mA, 5V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

300mV @ 250µA, 5mA

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

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