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80279H

80279H

僅供參考

型號 80279H
PNEDA編號 80279H
描述 RF POWER TRANSISTOR
制造商 Microsemi
單價 請求報價
庫存 4,176
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 七月 25 - 七月 30 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

80279H資源

品牌 Microsemi
ECAD Module ECAD
制造商零件編號80279H
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-RF

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80279H規格

制造商Microsemi Corporation
系列-
晶體管類型-
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)-
頻率-過渡-
噪聲系數(dB Typ @ f)-
增益-
功率-最大-
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce-
當前-集電極(Ic)(最大值)-
工作溫度-
安裝類型-
包裝/箱-
供應商設備包裝-

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Microsemi Corporation

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

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噪聲系數(dB Typ @ f)

-

增益

-

功率-最大

-

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

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當前-集電極(Ic)(最大值)

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工作溫度

-

安裝類型

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增益

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功率-最大

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直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

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當前-集電極(Ic)(最大值)

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

3.3V

頻率-過渡

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噪聲系數(dB Typ @ f)

1.1dB @ 2GHz

增益

18dB

功率-最大

115mW

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

50 @ 5mA, 2V

當前-集電極(Ic)(最大值)

35mA

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

20V

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噪聲系數(dB Typ @ f)

3dB @ 100MHz

增益

-

功率-最大

280mW

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

40 @ 20mA, 10V

當前-集電極(Ic)(最大值)

35mA

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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頻率-過渡

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噪聲系數(dB Typ @ f)

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增益

8dB

功率-最大

80W

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

40 @ 1.5A, 5V

當前-集電極(Ic)(最大值)

2A

工作溫度

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