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71V67603S150BGI

71V67603S150BGI

僅供參考

型號 71V67603S150BGI
PNEDA編號 71V67603S150BGI
描述 IC SRAM 9M PARALLEL 119PBGA
制造商 IDT, Integrated Device Technology
單價 請求報價
庫存 2,178
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 3 - 十一月 8 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

71V67603S150BGI資源

品牌 IDT, Integrated Device Technology
ECAD Module ECAD
制造商零件編號71V67603S150BGI
類別半導體內存IC內存

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71V67603S150BGI規格

制造商IDT, Integrated Device Technology Inc
系列-
內存類型Volatile
內存格式SRAM
技術SRAM - Synchronous, SDR
內存大小9Mb (256K x 36)
內存接口Parallel
時鐘頻率150MHz
寫周期-字,頁-
訪問時間3.8ns
電壓-供電3.135V ~ 3.465V
工作溫度-40°C ~ 85°C (TA)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱119-BGA
供應商設備包裝119-PBGA (14x22)

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內存接口

Parallel

時鐘頻率

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訪問時間

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電壓-供電

4.5V ~ 5.5V

工作溫度

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安裝類型

Surface Mount

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內存類型

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內存大小

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內存接口

Parallel

時鐘頻率

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訪問時間

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內存大小

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內存接口

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時鐘頻率

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寫周期-字,頁

2ms

訪問時間

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電壓-供電

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制造商

IDT, Integrated Device Technology Inc

系列

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內存類型

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內存格式

SRAM

技術

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內存大小

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內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

12ns

訪問時間

12ns

電壓-供電

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工作溫度

0°C ~ 70°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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36-SOJ

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制造商

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系列

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內存類型

Non-Volatile

內存格式

EEPROM

技術

EEPROM

內存大小

4Kb (512 x 8, 256 x 16)

內存接口

SPI

時鐘頻率

2MHz

寫周期-字,頁

10ms

訪問時間

-

電壓-供電

2.7V ~ 5.5V

工作溫度

0°C ~ 70°C (TC)

安裝類型

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