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71V65903S85BQG

71V65903S85BQG

僅供參考

型號 71V65903S85BQG
PNEDA編號 71V65903S85BQG
描述 IC SRAM 9M PARALLEL 165CABGA
制造商 IDT, Integrated Device Technology
單價 請求報價
庫存 6,102
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 七月 17 - 七月 22 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

71V65903S85BQG資源

品牌 IDT, Integrated Device Technology
ECAD Module ECAD
制造商零件編號71V65903S85BQG
類別半導體內存IC內存

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71V65903S85BQG規格

制造商IDT, Integrated Device Technology Inc
系列-
內存類型Volatile
內存格式SRAM
技術SRAM - Synchronous, SDR (ZBT)
內存大小9Mb (512K x 18)
內存接口Parallel
時鐘頻率-
寫周期-字,頁-
訪問時間8.5ns
電壓-供電3.135V ~ 3.465V
工作溫度0°C ~ 70°C (TA)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱165-TBGA
供應商設備包裝165-CABGA (13x15)

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內存大小

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內存接口

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時鐘頻率

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5ms

訪問時間

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電壓-供電

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工作溫度

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安裝類型

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內存類型

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內存格式

SRAM

技術

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內存大小

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內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

15ns

訪問時間

15ns

電壓-供電

1.65V ~ 2.2V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

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內存類型

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內存格式

FLASH

技術

FLASH - NOR

內存大小

128Mb (32M x 4)

內存接口

SPI

時鐘頻率

108MHz

寫周期-字,頁

8ms, 5ms

訪問時間

-

電壓-供電

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工作溫度

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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

系列

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內存類型

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內存格式

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技術

SDRAM - DDR

內存大小

512Mb (32M x 16)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

200MHz

寫周期-字,頁

15ns

訪問時間

700ps

電壓-供電

2.3V ~ 2.7V

工作溫度

0°C ~ 70°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

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供應商設備包裝

60-TFBGA (13x8)

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內存類型

Non-Volatile

內存格式

FLASH

技術

FLASH - NOR

內存大小

8Mb (1M x 8)

內存接口

SPI

時鐘頻率

80MHz

寫周期-字,頁

30µs, 3ms

訪問時間

-

電壓-供電

1.65V ~ 2V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

8-WLCSP

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