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71T75802S150PFG8

71T75802S150PFG8

僅供參考

型號 71T75802S150PFG8
PNEDA編號 71T75802S150PFG8
描述 IC SRAM 18M PARALLEL 100TQFP
制造商 IDT, Integrated Device Technology
單價 請求報價
庫存 4,626
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 13 - 十一月 18 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

71T75802S150PFG8資源

品牌 IDT, Integrated Device Technology
ECAD Module ECAD
制造商零件編號71T75802S150PFG8
類別半導體內存IC內存

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71T75802S150PFG8規格

制造商IDT, Integrated Device Technology Inc
系列-
內存類型Volatile
內存格式SRAM
技術SRAM - Synchronous, SDR (ZBT)
內存大小18Mb (1M x 18)
內存接口Parallel
時鐘頻率150MHz
寫周期-字,頁-
訪問時間3.8ns
電壓-供電2.375V ~ 2.625V
工作溫度0°C ~ 70°C (TA)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱100-LQFP
供應商設備包裝100-TQFP (14x14)

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內存大小

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內存接口

Parallel

時鐘頻率

800MHz

寫周期-字,頁

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訪問時間

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電壓-供電

1.283V ~ 1.45V

工作溫度

-40°C ~ 105°C (TC)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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制造商

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系列

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內存類型

Volatile

內存格式

SRAM

技術

SRAM - Dual Port, MoBL

內存大小

128Kb (8K x 16)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

55ns

訪問時間

55ns

電壓-供電

1.7V ~ 1.9V, 2.4V ~ 2.6V, 2.7V ~ 3.3V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

100-VFBGA

供應商設備包裝

100-VFBGA (6x6)

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制造商

Microchip Technology

系列

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內存類型

Non-Volatile

內存格式

EEPROM

技術

EEPROM

內存大小

8Kb (256 x 8 x 4)

內存接口

I²C

時鐘頻率

400kHz

寫周期-字,頁

5ms

訪問時間

900ns

電壓-供電

1.7V ~ 5.5V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)

供應商設備包裝

8-MSOP

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IDT, Integrated Device Technology

制造商

IDT, Integrated Device Technology Inc

系列

-

內存類型

Volatile

內存格式

SRAM

技術

SRAM - DDR2

內存大小

18Mb (1M x 18)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

200MHz

寫周期-字,頁

-

訪問時間

7.88ns

電壓-供電

1.7V ~ 1.9V

工作溫度

0°C ~ 70°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

165-TBGA

供應商設備包裝

165-CABGA (13x15)

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制造商

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內存類型

Non-Volatile

內存格式

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技術

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內存大小

2Gb (256M x 8)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

25ns

訪問時間

-

電壓-供電

2.7V ~ 3.6V

工作溫度

-40°C ~ 105°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)

供應商設備包裝

48-TSOP I

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