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7134LA35CB

7134LA35CB

僅供參考

型號 7134LA35CB
PNEDA編號 7134LA35CB
描述 IC SRAM 32K PARALLEL SB48
制造商 IDT, Integrated Device Technology
單價
1 ---------- $3,632.6662
50 ---------- $3,462.3850
100 ---------- $3,292.1038
200 ---------- $3,121.8226
400 ---------- $2,979.9215
500 ---------- $2,838.0205
庫存 56
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 六月 20 - 六月 25 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

7134LA35CB資源

品牌 IDT, Integrated Device Technology
ECAD Module ECAD
制造商零件編號7134LA35CB
類別半導體內存IC內存

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7134LA35CB規格

制造商IDT, Integrated Device Technology Inc
系列-
內存類型Volatile
內存格式SRAM
技術SRAM - Dual Port, Asynchronous
內存大小32Kb (4K x 8)
內存接口Parallel
時鐘頻率-
寫周期-字,頁35ns
訪問時間35ns
電壓-供電4.5V ~ 5.5V
工作溫度-55°C ~ 125°C (TA)
安裝類型Through Hole
包裝/箱48-DIP (0.600", 15.24mm)
供應商設備包裝48-SIDE BRAZED

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內存類型

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內存大小

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內存接口

I²C

時鐘頻率

400kHz

寫周期-字,頁

5ms

訪問時間

900ns

電壓-供電

1.5V ~ 3.6V

工作溫度

-20°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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IDT, Integrated Device Technology

制造商

IDT, Integrated Device Technology Inc

系列

-

內存類型

Volatile

內存格式

SRAM

技術

SRAM - Synchronous, SDR (ZBT)

內存大小

9Mb (512K x 18)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

-

訪問時間

8.5ns

電壓-供電

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安裝類型

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制造商

Micron Technology Inc.

系列

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內存類型

Volatile

內存格式

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技術

SDRAM - Mobile LPDDR2

內存大小

12Gb (384M x 32)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

400MHz

寫周期-字,頁

-

訪問時間

-

電壓-供電

1.14V ~ 1.3V

工作溫度

-30°C ~ 85°C (TC)

安裝類型

-

包裝/箱

-

供應商設備包裝

-

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Micron Technology Inc.

制造商

Micron Technology Inc.

系列

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內存類型

Non-Volatile

內存格式

FLASH

技術

FLASH - NAND

內存大小

4Gb (4G x 1)

內存接口

SPI

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

-

訪問時間

-

電壓-供電

1.7V ~ 1.95V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

8-UDFN

供應商設備包裝

8-U-PDFN (8x6)

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Micron Technology Inc.

制造商

Micron Technology Inc.

系列

-

內存類型

Non-Volatile

內存格式

FLASH

技術

FLASH - NOR

內存大小

8Mb (1M x 8)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

90ns

訪問時間

90ns

電壓-供電

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工作溫度

0°C ~ 70°C (TA)

安裝類型

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