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71016S20YG8

71016S20YG8

僅供參考

型號 71016S20YG8
PNEDA編號 71016S20YG8
描述 IC SRAM 1M PARALLEL 44SOJ
制造商 IDT, Integrated Device Technology
單價 請求報價
庫存 2,610
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 八月 20 - 八月 25 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

71016S20YG8資源

品牌 IDT, Integrated Device Technology
ECAD Module ECAD
制造商零件編號71016S20YG8
類別半導體內存IC內存

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71016S20YG8規格

制造商IDT, Integrated Device Technology Inc
系列-
內存類型Volatile
內存格式SRAM
技術SRAM - Asynchronous
內存大小1Mb (64K x 16)
內存接口Parallel
時鐘頻率-
寫周期-字,頁20ns
訪問時間20ns
電壓-供電4.5V ~ 5.5V
工作溫度0°C ~ 70°C (TA)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱44-BSOJ (0.400", 10.16mm Width)
供應商設備包裝44-SOJ

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內存格式

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內存大小

1Gb (128M x 8)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

933MHz

寫周期-字,頁

15ns

訪問時間

20ns

電壓-供電

1.425V ~ 1.575V

工作溫度

0°C ~ 95°C (TC)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

78-TFBGA

供應商設備包裝

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Cypress Semiconductor

制造商

Cypress Semiconductor Corp

系列

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內存類型

Volatile

內存格式

SRAM

技術

SRAM - Asynchronous

內存大小

1Mb (128K x 8)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

70ns

訪問時間

70ns

電壓-供電

4.5V ~ 5.5V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

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制造商

Micron Technology Inc.

系列

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內存類型

Non-Volatile

內存格式

FLASH

技術

FLASH - NAND

內存大小

64Gb (8G x 8)

內存接口

MMC

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

-

訪問時間

-

電壓-供電

2.7V ~ 3.6V

工作溫度

-25°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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制造商

Microchip Technology

系列

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內存類型

Non-Volatile

內存格式

EPROM

技術

EPROM - OTP

內存大小

4Mb (256K x 16)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

-

訪問時間

55ns

電壓-供電

4.5V ~ 5.5V

工作溫度

0°C ~ 70°C (TC)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

40-DIP (0.600", 15.24mm)

供應商設備包裝

40-PDIP

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IDT, Integrated Device Technology

制造商

IDT, Integrated Device Technology Inc

系列

-

內存類型

Volatile

內存格式

SRAM

技術

SRAM - Dual Port, Asynchronous

內存大小

1Mb (64K x 16)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

20ns

訪問時間

20ns

電壓-供電

4.5V ~ 5.5V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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