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70V658S10BF8

70V658S10BF8

僅供參考

型號 70V658S10BF8
PNEDA編號 70V658S10BF8
描述 IC SRAM 2M PARALLEL 208CABGA
制造商 IDT, Integrated Device Technology
單價 請求報價
庫存 4,446
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 六月 13 - 六月 18 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

70V658S10BF8資源

品牌 IDT, Integrated Device Technology
ECAD Module ECAD
制造商零件編號70V658S10BF8
類別半導體內存IC內存

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70V658S10BF8規格

制造商IDT, Integrated Device Technology Inc
系列-
內存類型Volatile
內存格式SRAM
技術SRAM - Dual Port, Asynchronous
內存大小2Mb (64K x 36)
內存接口Parallel
時鐘頻率-
寫周期-字,頁10ns
訪問時間10ns
電壓-供電3.15V ~ 3.45V
工作溫度0°C ~ 70°C (TA)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱208-LFBGA
供應商設備包裝208-CABGA (15x15)

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內存類型

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內存格式

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內存大小

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內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

70ns

訪問時間

70ns

電壓-供電

2.7V ~ 3.6V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

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制造商

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系列

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內存類型

Volatile

內存格式

SRAM

技術

SRAM - Asynchronous

內存大小

1Mb (64K x 16)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

55ns

訪問時間

55ns

電壓-供電

2.2V ~ 3.6V

工作溫度

-40°C ~ 125°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

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制造商

Alliance Memory, Inc.

系列

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內存類型

Volatile

內存格式

DRAM

技術

SDRAM - DDR3L

內存大小

1Gb (128M x 8)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

800MHz

寫周期-字,頁

15ns

訪問時間

20ns

電壓-供電

1.283V ~ 1.45V

工作溫度

0°C ~ 95°C (TC)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

78-TFBGA

供應商設備包裝

78-FBGA (8x10.5)

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制造商

Micron Technology Inc.

系列

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內存類型

Volatile

內存格式

DRAM

技術

SDRAM - Mobile LPDDR

內存大小

512Mb (32M x 16)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

166MHz

寫周期-字,頁

15ns

訪問時間

5.0ns

電壓-供電

1.7V ~ 1.95V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

60-VFBGA

供應商設備包裝

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制造商

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

系列

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內存類型

Volatile

內存格式

SRAM

技術

SRAM - Synchronous, SDR

內存大小

18Mb (512K x 36)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

200MHz

寫周期-字,頁

-

訪問時間

3.1ns

電壓-供電

3.135V ~ 3.465V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

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