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70V657S12BF8

70V657S12BF8

僅供參考

型號 70V657S12BF8
PNEDA編號 70V657S12BF8
描述 IC SRAM 1.125M PARALLEL 208CABGA
制造商 IDT, Integrated Device Technology
單價 請求報價
庫存 4,644
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 六月 1 - 六月 6 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

70V657S12BF8資源

品牌 IDT, Integrated Device Technology
ECAD Module ECAD
制造商零件編號70V657S12BF8
類別半導體內存IC內存

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70V657S12BF8規格

制造商IDT, Integrated Device Technology Inc
系列-
內存類型Volatile
內存格式SRAM
技術SRAM - Dual Port, Asynchronous
內存大小1.125Mb (32K x 36)
內存接口Parallel
時鐘頻率-
寫周期-字,頁12ns
訪問時間12ns
電壓-供電3.15V ~ 3.45V
工作溫度0°C ~ 70°C (TA)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱208-LFBGA
供應商設備包裝208-CABGA (15x15)

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內存大小

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內存接口

Parallel

時鐘頻率

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訪問時間

70ns

電壓-供電

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工作溫度

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安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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供應商設備包裝

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制造商

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系列

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內存類型

Volatile

內存格式

SRAM

技術

SRAM - Asynchronous

內存大小

4Mb (256K x 16)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

55ns

訪問時間

55ns

電壓-供電

1.65V ~ 2.25V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

48-VFBGA

供應商設備包裝

48-VFBGA (6x8)

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制造商

Micron Technology Inc.

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內存類型

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內存格式

-

技術

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內存大小

-

內存接口

-

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

-

訪問時間

-

電壓-供電

-

工作溫度

-

安裝類型

-

包裝/箱

-

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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

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內存大小

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內存接口

Parallel

時鐘頻率

133MHz

寫周期-字,頁

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訪問時間

6ns

電壓-供電

1.7V ~ 1.95V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

54-TFBGA

供應商設備包裝

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內存類型

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內存大小

8Gb (2G x 4)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

1.2GHz

寫周期-字,頁

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電壓-供電

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工作溫度

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安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

78-TFBGA

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