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70V639S10BF

70V639S10BF

僅供參考

型號 70V639S10BF
PNEDA編號 70V639S10BF
描述 IC SRAM 2.25M PARALLEL 208CABGA
制造商 IDT, Integrated Device Technology
單價 請求報價
庫存 7,020
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 五月 21 - 五月 26 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

70V639S10BF資源

品牌 IDT, Integrated Device Technology
ECAD Module ECAD
制造商零件編號70V639S10BF
類別半導體內存IC內存

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70V639S10BF規格

制造商IDT, Integrated Device Technology Inc
系列-
內存類型Volatile
內存格式SRAM
技術SRAM - Dual Port, Asynchronous
內存大小2.25Mb (128K x 18)
內存接口Parallel
時鐘頻率-
寫周期-字,頁10ns
訪問時間10ns
電壓-供電3.15V ~ 3.45V
工作溫度0°C ~ 70°C (TA)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱208-LFBGA
供應商設備包裝208-CABGA (15x15)

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內存接口

SPI

時鐘頻率

85MHz

寫周期-字,頁

8µs, 4ms

訪問時間

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電壓-供電

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工作溫度

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安裝類型

Surface Mount

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制造商

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系列

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內存類型

Volatile

內存格式

SRAM

技術

SRAM - Synchronous, SDR

內存大小

4.5Mb (256K x 18)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

133MHz

寫周期-字,頁

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4ns

電壓-供電

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制造商

IDT, Integrated Device Technology Inc

系列

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內存類型

Volatile

內存格式

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技術

SRAM - Synchronous, SDR (ZBT)

內存大小

4.5Mb (128K x 36)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

133MHz

寫周期-字,頁

-

訪問時間

4.2ns

電壓-供電

3.135V ~ 3.465V

工作溫度

0°C ~ 70°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

100-LQFP

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IDT, Integrated Device Technology

制造商

IDT, Integrated Device Technology Inc

系列

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內存類型

Volatile

內存格式

SRAM

技術

SRAM - Synchronous, SDR

內存大小

9Mb (256K x 36)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

133MHz

寫周期-字,頁

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訪問時間

4.2ns

電壓-供電

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安裝類型

Surface Mount

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制造商

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內存大小

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內存接口

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