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70V3579S6BC

70V3579S6BC

僅供參考

型號 70V3579S6BC
PNEDA編號 70V3579S6BC
描述 IC SRAM 1.125M PARALLEL 256CABGA
制造商 IDT, Integrated Device Technology
單價 請求報價
庫存 6,570
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 六月 20 - 六月 25 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

70V3579S6BC資源

品牌 IDT, Integrated Device Technology
ECAD Module ECAD
制造商零件編號70V3579S6BC
類別半導體內存IC內存

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70V3579S6BC規格

制造商IDT, Integrated Device Technology Inc
系列-
內存類型Volatile
內存格式SRAM
技術SRAM - Dual Port, Synchronous
內存大小1.125Mb (32K x 36)
內存接口Parallel
時鐘頻率-
寫周期-字,頁-
訪問時間6ns
電壓-供電3.15V ~ 3.45V
工作溫度0°C ~ 70°C (TA)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱256-LBGA
供應商設備包裝256-CABGA (17x17)

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內存大小

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內存接口

Parallel

時鐘頻率

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寫周期-字,頁

15ns

訪問時間

700ps

電壓-供電

2.5V ~ 2.7V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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內存類型

Volatile

內存格式

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內存大小

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內存接口

Parallel

時鐘頻率

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寫周期-字,頁

15ns

訪問時間

15ns

電壓-供電

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安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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電壓-供電

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工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

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時鐘頻率

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電壓-供電

2.5V ~ 5.5V

工作溫度

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安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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內存類型

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內存格式

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技術

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內存大小

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內存接口

SPI

時鐘頻率

3MHz

寫周期-字,頁

5ms

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