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70T651S12BC

70T651S12BC

僅供參考

型號 70T651S12BC
PNEDA編號 70T651S12BC
描述 IC SRAM 9M PARALLEL 256CABGA
制造商 IDT, Integrated Device Technology
單價 請求報價
庫存 8,118
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 六月 7 - 六月 12 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

70T651S12BC資源

品牌 IDT, Integrated Device Technology
ECAD Module ECAD
制造商零件編號70T651S12BC
類別半導體內存IC內存

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70T651S12BC規格

制造商IDT, Integrated Device Technology Inc
系列-
內存類型Volatile
內存格式SRAM
技術SRAM - Dual Port, Asynchronous
內存大小9Mb (256K x 36)
內存接口Parallel
時鐘頻率-
寫周期-字,頁12ns
訪問時間12ns
電壓-供電2.4V ~ 2.6V
工作溫度0°C ~ 70°C (TA)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱256-LBGA
供應商設備包裝256-CABGA (17x17)

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內存接口

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時鐘頻率

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訪問時間

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電壓-供電

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工作溫度

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安裝類型

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內存接口

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時鐘頻率

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訪問時間

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電壓-供電

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安裝類型

Surface Mount

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