70T3339S200BCG
僅供參考
| 型號 | 70T3339S200BCG |
| PNEDA編號 | 70T3339S200BCG |
| 描述 | IC SRAM 9M PARALLEL 256CABGA |
| 制造商 | IDT, Integrated Device Technology |
| 單價 | 請求報價 |
| 庫存 | 8,910 |
| 倉庫 | Shipped from Hong Kong SAR |
| 預計交貨 | 七月 14 - 七月 19 (選擇加急運輸) |
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70T3339S200BCG資源
| 品牌 | IDT, Integrated Device Technology |
| ECAD Module |
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| 制造商零件編號 | 70T3339S200BCG |
| 類別 | 半導體 › 內存IC › 內存 |
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70T3339S200BCG規格
| 制造商 | IDT, Integrated Device Technology Inc |
| 系列 | - |
| 內存類型 | Volatile |
| 內存格式 | SRAM |
| 技術 | SRAM - Dual Port, Synchronous |
| 內存大小 | 9Mb (512K x 18) |
| 內存接口 | Parallel |
| 時鐘頻率 | 200MHz |
| 寫周期-字，頁 | - |
| 訪問時間 | 3.4ns |
| 電壓-供電 | 2.4V ~ 2.6V |
| 工作溫度 | 0°C ~ 70°C (TA) |
| 安裝類型 | Surface Mount |
| 包裝/箱 | 256-LBGA |
| 供應商設備包裝 | 256-CABGA (17x17) |
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