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64020H

64020H

僅供參考

型號 64020H
PNEDA編號 64020H
描述 RF POWER TRANSISTOR
制造商 Microsemi
單價 請求報價
庫存 6,408
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 五月 26 - 五月 31 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

64020H資源

品牌 Microsemi
ECAD Module ECAD
制造商零件編號64020H
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-RF

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64020H規格

制造商Microsemi Corporation
系列-
晶體管類型-
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)-
頻率-過渡-
噪聲系數(dB Typ @ f)-
增益-
功率-最大-
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce-
當前-集電極(Ic)(最大值)-
工作溫度-
安裝類型-
包裝/箱-
供應商設備包裝-

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增益

17dB

功率-最大

450mW

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

60 @ 50mA, 5V

當前-集電極(Ic)(最大值)

100mA

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

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400mW

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

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50mA

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系列

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晶體管類型

NPN

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

15V

頻率-過渡

1GHz

噪聲系數(dB Typ @ f)

4.5dB @ 500MHz

增益

-

功率-最大

300mW

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

25 @ 2mA, 1V

當前-集電極(Ic)(最大值)

25mA

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

15V

頻率-過渡

2GHz

噪聲系數(dB Typ @ f)

-

增益

-

功率-最大

150mW

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

50 @ 5mA, 10V

當前-集電極(Ic)(最大值)

50mA

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直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

70 @ 5mA, 10V

當前-集電極(Ic)(最大值)

50mA

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

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