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5822SMGE3/TR13

5822SMGE3/TR13

僅供參考

型號 5822SMGE3/TR13
PNEDA編號 5822SMGE3-TR13
描述 DIODE SCHOTTKY 40V 3A DO215AB
制造商 Microsemi
單價 請求報價
庫存 7,056
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 13 - 十一月 18 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

5822SMGE3/TR13資源

品牌 Microsemi
ECAD Module ECAD
制造商零件編號5822SMGE3/TR13
類別半導體二極管與整流器整流器-單
數據表
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5822SMGE3/TR13規格

制造商Microsemi Corporation
系列-
二極管類型Schottky
電壓-直流反向(Vr)(最大值)40V
電流-平均整流(Io)3A
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果500mV @ 3A
速度Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間(trr)-
當前-反向泄漏@ Vr1.5mA @ 40V
電容@ Vr,F-
安裝類型Surface Mount
包裝/箱DO-215AB, SMC Gull Wing
供應商設備包裝DO-215AB
工作溫度-結點-55°C ~ 150°C

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電流-平均整流(Io)

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速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

600µA @ 80V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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供應商設備包裝

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電流-平均整流(Io)

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

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速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

500ns

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 1000V

電容@ Vr,F

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電流-平均整流(Io)

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.15V @ 700mA

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

250ns

當前-反向泄漏@ Vr

10µA @ 600V

電容@ Vr,F

9pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.3V @ 2A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

50ns

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 400V

電容@ Vr,F

35pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

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速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

50mA @ 6000V

電容@ Vr,F

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