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2SK715W

2SK715W

僅供參考

型號 2SK715W
PNEDA編號 2SK715W
描述 JFET N-CH 50MA 300MW SPA
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 3,150
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 五月 24 - 五月 29 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

2SK715W資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號2SK715W
類別半導體晶體管晶體管-JFET
數據表
2SK715W, 2SK715W數據表 (總頁數: 5, 大小: 777.4 KB)
PDF2SK715W-AC數據表 封面
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2SK715W規格

制造商ON Semiconductor
系列-
FET類型N-Channel
電壓-擊穿電壓(V(BR)GSS)-
漏極至源極電壓(Vdss)15V
當前-漏極(Ids)@ Vds(Vgs=0)14.5mA @ 5V
電流消耗(Id)-最大50mA
電壓-截止(VGS關閉)@ ID600mV @ 100µA
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds10pF @ 5V
電阻-RDS(On)-
功率-最大300mW
工作溫度125°C (TJ)
安裝類型Through Hole
包裝/箱SC-72
供應商設備包裝3-SPA

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漏極至源極電壓(Vdss)

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當前-漏極(Ids)@ Vds(Vgs=0)

500µA @ 15V

電流消耗(Id)-最大

-

電壓-截止(VGS關閉)@ ID

600mV @ 100nA

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

7pF @ 15V

電阻-RDS(On)

-

功率-最大

300mW

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

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漏極至源極電壓(Vdss)

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當前-漏極(Ids)@ Vds(Vgs=0)

2mA @ 15V

電流消耗(Id)-最大

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電壓-截止(VGS關閉)@ ID

1V @ 1µA

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

7pF @ 15V

電阻-RDS(On)

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漏極至源極電壓(Vdss)

-

當前-漏極(Ids)@ Vds(Vgs=0)

-

電流消耗(Id)-最大

-

電壓-截止(VGS關閉)@ ID

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

電阻-RDS(On)

-

功率-最大

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工作溫度

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FET類型

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電壓-擊穿電壓(V(BR)GSS)

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漏極至源極電壓(Vdss)

20V

當前-漏極(Ids)@ Vds(Vgs=0)

107µA @ 2V

電流消耗(Id)-最大

2mA

電壓-截止(VGS關閉)@ ID

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

電阻-RDS(On)

-

功率-最大

100mW

工作溫度

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安裝類型

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N-Channel

電壓-擊穿電壓(V(BR)GSS)

20V

漏極至源極電壓(Vdss)

-

當前-漏極(Ids)@ Vds(Vgs=0)

100µA @ 5V

電流消耗(Id)-最大

1mA

電壓-截止(VGS關閉)@ ID

600mV @ 1µA

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

3.5pF @ 5V

電阻-RDS(On)

-

功率-最大

150mW

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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