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2SK3666-4-TB-E

2SK3666-4-TB-E

僅供參考

型號 2SK3666-4-TB-E
PNEDA編號 2SK3666-4-TB-E
描述 JFET N-CH 30V 0.2W CP
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 8,388
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 五月 23 - 五月 28 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

2SK3666-4-TB-E資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號2SK3666-4-TB-E
類別半導體晶體管晶體管-JFET
數據表
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  • 2SK3666-4-TB-E Distributor

2SK3666-4-TB-E規格

制造商ON Semiconductor
系列-
FET類型N-Channel
電壓-擊穿電壓(V(BR)GSS)30V
漏極至源極電壓(Vdss)30V
當前-漏極(Ids)@ Vds(Vgs=0)2.5mA @ 10V
電流消耗(Id)-最大10mA
電壓-截止(VGS關閉)@ ID180mV @ 1µA
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds4pF @ 10V
電阻-RDS(On)200 Ohms
功率-最大200mW
工作溫度150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
供應商設備包裝3-CP

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當前-漏極(Ids)@ Vds(Vgs=0)

1.5mA @ 15V

電流消耗(Id)-最大

-

電壓-截止(VGS關閉)@ ID

800mV @ 10nA

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

電阻-RDS(On)

300 Ohms

功率-最大

350mW

工作溫度

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安裝類型

Through Hole

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當前-漏極(Ids)@ Vds(Vgs=0)

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電流消耗(Id)-最大

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電壓-截止(VGS關閉)@ ID

750mV @ 1µA

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

7pF @ 15V

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當前-漏極(Ids)@ Vds(Vgs=0)

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電流消耗(Id)-最大

-

電壓-截止(VGS關閉)@ ID

600mV @ 100nA

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

電阻-RDS(On)

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功率-最大

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安裝類型

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當前-漏極(Ids)@ Vds(Vgs=0)

-

電流消耗(Id)-最大

-

電壓-截止(VGS關閉)@ ID

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

電阻-RDS(On)

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輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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