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2SD2257(CANO,Q,M)

2SD2257(CANO,Q,M)

僅供參考

型號 2SD2257(CANO,Q,M)
PNEDA編號 2SD2257-CANO-Q-M
描述 TRANS NPN 3A 100V TO220-3
制造商 Toshiba Semiconductor and Storage
單價 請求報價
庫存 6,426
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 五月 24 - 五月 29 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

2SD2257(CANO資源

品牌 Toshiba Semiconductor and Storage
ECAD Module ECAD
制造商零件編號2SD2257(CANO,Q,M)
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-單
數據表
2SD2257(CANO, 2SD2257(CANO數據表 (總頁數: 4, 大小: 154.39 KB)
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2SD2257(CANO規格

制造商Toshiba Semiconductor and Storage
系列-
晶體管類型NPN
當前-集電極(Ic)(最大值)3A
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)100V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic1.5V @ 1.5mA, 1.5A
當前-集電極截止(最大值)10µA (ICBO)
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce2000 @ 2A, 2V
功率-最大2W
頻率-過渡-
工作溫度150°C (TJ)
安裝類型Through Hole
包裝/箱TO-220-3 Full Pack
供應商設備包裝TO-220NIS

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60V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

500mV @ 150mA, 3A

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

160 @ 1A, 2V

功率-最大

1.4W

頻率-過渡

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工作溫度

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直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

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32V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

300mV @ 500µA, 10mA

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

215 @ 2mA, 5V

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

300mV @ 5mA, 50mA

當前-集電極截止(最大值)

1µA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

50 @ 10mA, 5V

功率-最大

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頻率-過渡

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工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

800mV @ 600mA, 6A

當前-集電極截止(最大值)

100µA

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40 @ 2A, 2V

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