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2SD2212T100

2SD2212T100

僅供參考

型號 2SD2212T100
PNEDA編號 2SD2212T100
描述 TRANS NPN DARL 60V 2A SOT-89
制造商 Rohm Semiconductor
單價 請求報價
庫存 6,858
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 五月 1 - 五月 6 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

2SD2212T100資源

品牌 Rohm Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號2SD2212T100
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-單
數據表
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2SD2212T100規格

制造商Rohm Semiconductor
系列-
晶體管類型NPN - Darlington
當前-集電極(Ic)(最大值)2A
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)60V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic1.5V @ 1mA, 1A
當前-集電極截止(最大值)1µA (ICBO)
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce1000 @ 1A, 2V
功率-最大2W
頻率-過渡80MHz
工作溫度150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱TO-243AA
供應商設備包裝MPT3

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120V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

1V @ 50mA, 500mA

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

80 @ 100mA, 5V

功率-最大

900mW

頻率-過渡

120MHz

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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晶體管類型

NPN

當前-集電極(Ic)(最大值)

1.25A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

50V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

330mV @ 125mA, 1.25A

當前-集電極截止(最大值)

10nA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

200 @ 500mA, 5V

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Diodes Incorporated

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Diodes Incorporated

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當前-集電極(Ic)(最大值)

1A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

80V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

500mV @ 50mA, 500mA

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

63 @ 150mA, 2V

功率-最大

1W

頻率-過渡

200MHz

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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晶體管類型

NPN

當前-集電極(Ic)(最大值)

1.5A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

400V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

1.5V @ 500mA, 1.5A

當前-集電極截止(最大值)

1mA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

5 @ 1A, 2V

功率-最大

1.5W

頻率-過渡

-

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

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