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2SD2211T100R

2SD2211T100R

僅供參考

型號 2SD2211T100R
PNEDA編號 2SD2211T100R
描述 TRANS NPN 160V 1.5A SOT89
制造商 Rohm Semiconductor
單價 請求報價
庫存 4,680
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 七月 16 - 七月 21 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

2SD2211T100R資源

品牌 Rohm Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號2SD2211T100R
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-單
數據表
2SD2211T100R, 2SD2211T100R數據表 (總頁數: 1, 大小: 63.85 KB)
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2SD2211T100R規格

制造商Rohm Semiconductor
系列-
晶體管類型NPN
當前-集電極(Ic)(最大值)1.5A
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)160V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic2V @ 100mA, 1A
當前-集電極截止(最大值)1µA (ICBO)
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce180 @ 100mA, 5V
功率-最大2W
頻率-過渡80MHz
工作溫度150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱TO-243AA
供應商設備包裝MPT3

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Rohm Semiconductor

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20V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

250mV @ 50mA, 4A

當前-集電極截止(最大值)

1µA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

120 @ 500mA, 2V

功率-最大

1W

頻率-過渡

150MHz

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

供應商設備包裝

CPT3

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當前-集電極(Ic)(最大值)

10A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

70V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

2.5V @ 1A, 10A

當前-集電極截止(最大值)

10µA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

40 @ 5A, 5V

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制造商

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晶體管類型

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當前-集電極(Ic)(最大值)

500mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

30V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

300mV @ 500µA, 10mA

當前-集電極截止(最大值)

50nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

50 @ 10mA, 10V

功率-最大

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頻率-過渡

-

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

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晶體管類型

NPN

當前-集電極(Ic)(最大值)

5A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

25V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

1.8V @ 1A, 5A

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

45 @ 2A, 1V

功率-最大

1.4W

頻率-過渡

65MHz

工作溫度

-65°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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當前-集電極(Ic)(最大值)

1A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

150V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

-

當前-集電極截止(最大值)

50nA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

100 @ 150mA, 250mV

功率-最大

1.5W

頻率-過渡

-

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

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包裝/箱

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