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2SD2206(T6CANO,F,M

2SD2206(T6CANO,F,M

僅供參考

型號 2SD2206(T6CANO,F,M
PNEDA編號 2SD2206-T6CANO-F-M
描述 TRANS NPN 2A 100V TO226-3
制造商 Toshiba Semiconductor and Storage
單價 請求報價
庫存 5,436
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 五月 16 - 五月 21 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

2SD2206(T6CANO資源

品牌 Toshiba Semiconductor and Storage
ECAD Module ECAD
制造商零件編號2SD2206(T6CANO,F,M
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-單
數據表
2SD2206(T6CANO, 2SD2206(T6CANO數據表 (總頁數: 4, 大小: 154.16 KB)
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2SD2206(T6CANO規格

制造商Toshiba Semiconductor and Storage
系列-
晶體管類型NPN
當前-集電極(Ic)(最大值)2A
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)100V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic1.5V @ 1mA, 1A
當前-集電極截止(最大值)10µA (ICBO)
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce2000 @ 1A, 2V
功率-最大900mW
頻率-過渡100MHz
工作溫度150°C (TJ)
安裝類型Through Hole
包裝/箱TO-226-3, TO-92-3 Long Body
供應商設備包裝TO-92MOD

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當前-集電極(Ic)(最大值)

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

30V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

600mV @ 5mA, 100mA

當前-集電極截止(最大值)

15nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

80 @ 2mA, 5V

功率-最大

625mW

頻率-過渡

200MHz

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

900mV @ 30mA, 300mA

當前-集電極截止(最大值)

10µA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

40 @ 200mA, 1V

功率-最大

330mW

頻率-過渡

100MHz

工作溫度

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

3V @ 800mA, 8A

當前-集電極截止(最大值)

5µA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

80 @ 1A, 5V

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頻率-過渡

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