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2SD1805G-TL-E

2SD1805G-TL-E

僅供參考

型號 2SD1805G-TL-E
PNEDA編號 2SD1805G-TL-E
描述 TRANS NPN 20V 5A TP-FA
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 3,348
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 七月 20 - 七月 25 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

2SD1805G-TL-E資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號2SD1805G-TL-E
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-單
數據表
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2SD1805G-TL-E規格

制造商ON Semiconductor
系列-
晶體管類型NPN
當前-集電極(Ic)(最大值)5A
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)20V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic500mV @ 60mA, 3A
當前-集電極截止(最大值)100nA (ICBO)
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce280 @ 500mA, 2V
功率-最大1W
頻率-過渡120MHz
工作溫度150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
供應商設備包裝2-TP-FA

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當前-集電極(Ic)(最大值)

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70V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

3.5V @ 3A, 7A

當前-集電極截止(最大值)

1mA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

30 @ 2A, 4V

功率-最大

40W

頻率-過渡

4MHz

工作溫度

-65°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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當前-集電極(Ic)(最大值)

100mA

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

200mV @ 15mA, 50mA

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

20 @ 10mA, 1V

功率-最大

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頻率-過渡

100MHz

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當前-集電極(Ic)(最大值)

4A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

40V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

210mV @ 100mA, 4A

當前-集電極截止(最大值)

10nA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

300 @ 1A, 2V

功率-最大

1W

頻率-過渡

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當前-集電極(Ic)(最大值)

4A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

360mV @ 300mA, 3A

當前-集電極截止(最大值)

20nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

100 @ 1A, 5V

功率-最大

3W

頻率-過渡

120MHz

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-55°C ~ 150°C (TJ)

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Surface Mount

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當前-集電極(Ic)(最大值)

2A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

40V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

350mV @ 200mA, 2A

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

300 @ 100mA, 2V

功率-最大

-

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