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2SD1801S-E

2SD1801S-E

僅供參考

型號 2SD1801S-E
PNEDA編號 2SD1801S-E
描述 TRANS NPN 50V 2A TP
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 15,738
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 五月 15 - 五月 20 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

2SD1801S-E資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號2SD1801S-E
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-單
數據表
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2SD1801S-E規格

制造商ON Semiconductor
系列-
晶體管類型NPN
當前-集電極(Ic)(最大值)2A
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)50V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic400mV @ 50mA, 1A
當前-集電極截止(最大值)100nA (ICBO)
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce140 @ 100mA, 2V
功率-最大800mW
頻率-過渡150MHz
工作溫度150°C (TJ)
安裝類型Through Hole
包裝/箱TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
供應商設備包裝TP

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

40V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

300mV @ 5mA, 50mA

當前-集電極截止(最大值)

-

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

100 @ 10mA, 1V

功率-最大

625mW

頻率-過渡

300MHz

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

320mV @ 200mA, 2A

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

300 @ 1A, 2V

功率-最大

600mW

頻率-過渡

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晶體管類型

NPN

當前-集電極(Ic)(最大值)

500mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

300V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

500mV @ 2mA, 20mA

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

25 @ 1mA, 10V

功率-最大

625mW

頻率-過渡

50MHz

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)

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Diodes Incorporated

制造商

Diodes Incorporated

系列

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晶體管類型

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當前-集電極(Ic)(最大值)

150mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

500V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

500mV @ 10mA, 50mA

當前-集電極截止(最大值)

100nA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

80 @ 50mA, 10V

功率-最大

1W

頻率-過渡

60MHz

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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當前-集電極(Ic)(最大值)

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80V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

5V @ 15mA, 150mA

當前-集電極截止(最大值)

10µA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

40 @ 150mA, 10V

功率-最大

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