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2SD1760TLQ

2SD1760TLQ

僅供參考

型號 2SD1760TLQ
PNEDA編號 2SD1760TLQ
描述 TRANS NPN 50V 3A SOT-428
制造商 Rohm Semiconductor
單價 請求報價
庫存 8,100
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 七月 21 - 七月 26 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

2SD1760TLQ資源

品牌 Rohm Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號2SD1760TLQ
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-單
數據表
2SD1760TLQ, 2SD1760TLQ數據表 (總頁數: 3, 大小: 78.53 KB)
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2SD1760TLQ規格

制造商Rohm Semiconductor
系列-
晶體管類型NPN
當前-集電極(Ic)(最大值)3A
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)50V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic1V @ 200mA, 2A
當前-集電極截止(最大值)1µA (ICBO)
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce120 @ 500mA, 3V
功率-最大15W
頻率-過渡90MHz
工作溫度150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
供應商設備包裝CPT3

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

-

當前-集電極截止(最大值)

10nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

30 @ 10mA, 300mV

功率-最大

-

頻率-過渡

500MHz

工作溫度

-

安裝類型

Through Hole

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100mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

50V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

600mV @ 5mA, 100mA

當前-集電極截止(最大值)

15nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

60 @ 2mA, 5V

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

-

當前-集電極截止(最大值)

-

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

-

功率-最大

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當前-集電極(Ic)(最大值)

2A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

40V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

115mV @ 200mA, 2A

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

200 @ 500mA, 2V

功率-最大

460mW

頻率-過渡

150MHz

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

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500V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

1.5V @ 600mA, 3A

當前-集電極截止(最大值)

100µA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

14 @ 500mA, 5V

功率-最大

100W

頻率-過渡

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