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2SD1758TLR

2SD1758TLR

僅供參考

型號 2SD1758TLR
PNEDA編號 2SD1758TLR
描述 TRANS NPN 32V 2A SOT-428
制造商 Rohm Semiconductor
單價 請求報價
庫存 2,952
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 五月 6 - 五月 11 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

2SD1758TLR資源

品牌 Rohm Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號2SD1758TLR
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-單
數據表
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2SD1758TLR規格

制造商Rohm Semiconductor
系列-
晶體管類型NPN
當前-集電極(Ic)(最大值)2A
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)32V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic800mV @ 200mA, 2A
當前-集電極截止(最大值)1µA (ICBO)
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce180 @ 500mA, 3V
功率-最大10W
頻率-過渡100MHz
工作溫度150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
供應商設備包裝CPT3

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

520mV @ 100mA, 2A

當前-集電極截止(最大值)

1µA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

200 @ 100mA, 2V

功率-最大

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工作溫度

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

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當前-集電極截止(最大值)

1mA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

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100W

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直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

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當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

80V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

2.5V @ 80mA, 8A

當前-集電極截止(最大值)

50µA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

1000 @ 3A, 4V

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