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2SD1624S-TD-E

2SD1624S-TD-E

僅供參考

型號 2SD1624S-TD-E
PNEDA編號 2SD1624S-TD-E
描述 TRANS NPN 50V 3A PCP
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 17,862
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 五月 3 - 五月 8 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

2SD1624S-TD-E資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號2SD1624S-TD-E
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-單
數據表
2SD1624S-TD-E, 2SD1624S-TD-E數據表 (總頁數: 7, 大小: 349.53 KB)
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2SD1624S-TD-E規格

制造商ON Semiconductor
系列-
晶體管類型NPN
當前-集電極(Ic)(最大值)3A
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)50V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic500mV @ 100mA, 2A
當前-集電極截止(最大值)1µA (ICBO)
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce140 @ 100mA, 2V
功率-最大500mW
頻率-過渡150MHz
工作溫度150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱TO-243AA
供應商設備包裝PCP

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

600mV @ 5mA, 100mA

當前-集電極截止(最大值)

15nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

200 @ 2mA, 5V

功率-最大

300mW

頻率-過渡

100MHz

工作溫度

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安裝類型

Surface Mount

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當前-集電極截止(最大值)

100nA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

100 @ 50mA, 10V

功率-最大

700mW

頻率-過渡

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300mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

15V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

500mV @ 3mA, 300mA

當前-集電極截止(最大值)

500nA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

150V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

500mV @ 5mA, 50mA

當前-集電極截止(最大值)

50nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

60 @ 10mA, 5V

功率-最大

350mW

頻率-過渡

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