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2SCR586D3TL1

2SCR586D3TL1

僅供參考

型號 2SCR586D3TL1
PNEDA編號 2SCR586D3TL1
描述 POWER TRANSISTOR WITH LOW VCE(SA
制造商 Rohm Semiconductor
單價 請求報價
庫存 22,836
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 七月 1 - 七月 6 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

2SCR586D3TL1資源

品牌 Rohm Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號2SCR586D3TL1
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-單

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2SCR586D3TL1規格

制造商Rohm Semiconductor
系列-
晶體管類型NPN
當前-集電極(Ic)(最大值)5A
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)80V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic300mV @ 100mA, 2A
當前-集電極截止(最大值)1µA (ICBO)
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce120 @ 500mA, 3V
功率-最大10W
頻率-過渡200MHz
工作溫度150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
供應商設備包裝TO-252

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50V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

600mV @ 30mA, 300mA

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

120 @ 150mA, 10V

功率-最大

200mW

頻率-過渡

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工作溫度

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安裝類型

Surface Mount

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

650mV @ 5mA, 100mA

當前-集電極截止(最大值)

15nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

125 @ 2.2mA, 5V

功率-最大

250mW

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當前-集電極(Ic)(最大值)

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

600mV @ 100mA, 1A

當前-集電極截止(最大值)

100nA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

50V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

700mV @ 1mA, 10mA

當前-集電極截止(最大值)

50nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

200 @ 100µA, 5V

功率-最大

625mW

頻率-過渡

30MHz

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

600mV @ 100mA, 1A

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

30 @ 250mA, 1V

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