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2SCR523MT2L

2SCR523MT2L

僅供參考

型號 2SCR523MT2L
PNEDA編號 2SCR523MT2L
描述 TRANS NPN 50V 0.1A VMT3
制造商 Rohm Semiconductor
單價 請求報價
庫存 76,788
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 五月 6 - 五月 11 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

2SCR523MT2L資源

品牌 Rohm Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號2SCR523MT2L
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-單
數據表
2SCR523MT2L, 2SCR523MT2L數據表 (總頁數: 11, 大小: 2,014.94 KB)
PDF2SCR523EBTL數據表 封面
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2SCR523MT2L規格

制造商Rohm Semiconductor
系列-
晶體管類型NPN
當前-集電極(Ic)(最大值)100mA
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)50V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic300mV @ 5mA, 50mA
當前-集電極截止(最大值)100nA (ICBO)
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce120 @ 1mA, 6V
功率-最大150mW
頻率-過渡350MHz
工作溫度150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱SOT-723
供應商設備包裝VMT3

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12V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

130mV @ 100µA, 1mA

當前-集電極截止(最大值)

10nA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

30 @ 10mA, 300mV

功率-最大

300mW

頻率-過渡

-

工作溫度

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安裝類型

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當前-集電極(Ic)(最大值)

15A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

260V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

3V @ 1A, 10A

當前-集電極截止(最大值)

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直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

75 @ 5A, 5V

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當前-集電極(Ic)(最大值)

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

60V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

700mV @ 50mA, 500mA

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

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功率-最大

1W

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

2.5V @ 1A, 10A

當前-集電極截止(最大值)

10µA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

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