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2SC6139,T2F(M

2SC6139,T2F(M

僅供參考

型號 2SC6139,T2F(M
PNEDA編號 2SC6139-T2F-M
描述 TRANS NPN 1.5A 160V SC71
制造商 Toshiba Semiconductor and Storage
單價 請求報價
庫存 3,456
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 五月 22 - 五月 27 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

2SC6139資源

品牌 Toshiba Semiconductor and Storage
ECAD Module ECAD
制造商零件編號2SC6139,T2F(M
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-單
數據表
2SC6139, 2SC6139數據表 (總頁數: 5, 大小: 204.65 KB)
PDF2SC6139數據表 封面
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2SC6139規格

制造商Toshiba Semiconductor and Storage
系列-
晶體管類型NPN
當前-集電極(Ic)(最大值)1.5A
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)160V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic500mV @ 50mA, 500mA
當前-集電極截止(最大值)100nA (ICBO)
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce140 @ 100mA, 5V
功率-最大1W
頻率-過渡100MHz
工作溫度150°C (TJ)
安裝類型Through Hole
包裝/箱SC-71
供應商設備包裝MSTM

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20mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

20V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

300mV @ 1mA, 10mA

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

60 @ 1mA, 6V

功率-最大

150mW

頻率-過渡

600MHz

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

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NPN - Darlington

當前-集電極(Ic)(最大值)

8A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

60V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

2V @ 16mA, 4A

當前-集電極截止(最大值)

20µA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

1000 @ 4A, 4V

功率-最大

75W

頻率-過渡

-

工作溫度

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安裝類型

Through Hole

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晶體管類型

NPN

當前-集電極(Ic)(最大值)

100mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

80V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

200mV @ 15mA, 50mA

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

20 @ 10mA, 1V

功率-最大

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頻率-過渡

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工作溫度

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當前-集電極(Ic)(最大值)

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

90V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

600mV @ 15mA, 150mA

當前-集電極截止(最大值)

10nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

60 @ 150mA, 10V

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當前-集電極(Ic)(最大值)

500mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

80V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

250mV @ 10mA, 100mA

當前-集電極截止(最大值)

100nA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

100 @ 100mA, 1V

功率-最大

1W

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