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2SC5964-TD-E

2SC5964-TD-E

僅供參考

型號 2SC5964-TD-E
PNEDA編號 2SC5964-TD-E
描述 TRANS NPN 50V 3A SOT89-3
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 48,402
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 五月 6 - 五月 11 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

2SC5964-TD-E資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號2SC5964-TD-E
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-單
數據表
2SC5964-TD-E, 2SC5964-TD-E數據表 (總頁數: 6, 大小: 319.23 KB)
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2SC5964-TD-E規格

制造商ON Semiconductor
系列-
晶體管類型NPN
當前-集電極(Ic)(最大值)3A
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)50V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic290mV @ 100mA, 2A
當前-集電極截止(最大值)1µA (ICBO)
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce200 @ 100mA, 2V
功率-最大3.5W
頻率-過渡380MHz
工作溫度150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱TO-243AA
供應商設備包裝PCP

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

500mV @ 50mA, 500mA

當前-集電極截止(最大值)

10µA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

50V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

300mV @ 10mA, 100mA

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當前-集電極(Ic)(最大值)

50mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

300mV @ 1mA, 10mA

當前-集電極截止(最大值)

50nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

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