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2SC5551AE-TD-E

2SC5551AE-TD-E

僅供參考

型號 2SC5551AE-TD-E
PNEDA編號 2SC5551AE-TD-E
描述 RF TRANS NPN 30V 3.5GHZ PCP
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 4,896
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 五月 23 - 五月 28 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

2SC5551AE-TD-E資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號2SC5551AE-TD-E
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-RF
數據表
2SC5551AE-TD-E, 2SC5551AE-TD-E數據表 (總頁數: 6, 大小: 293.9 KB)
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2SC5551AE-TD-E規格

制造商ON Semiconductor
系列-
晶體管類型NPN
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)30V
頻率-過渡3.5GHz
噪聲系數(dB Typ @ f)-
增益-
功率-最大1.3W
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce90 @ 50mA, 5V
當前-集電極(Ic)(最大值)300mA
工作溫度150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱TO-243AA
供應商設備包裝PCP

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1.4dB ~ 3dB @ 1GHz ~ 4GHz

增益

8dB ~ 17dB

功率-最大

500mW

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

30 @ 10mA, 8V

當前-集電極(Ic)(最大值)

60mA

工作溫度

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安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

Die

供應商設備包裝

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制造商

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晶體管類型

NPN

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

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頻率-過渡

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噪聲系數(dB Typ @ f)

-

增益

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功率-最大

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

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頻率-過渡

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噪聲系數(dB Typ @ f)

1.3dB ~ 2.4dB @ 900MHz

增益

-

功率-最大

650mW

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

60 @ 40mA, 8V

當前-集電極(Ic)(最大值)

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工作溫度

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450mW

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

60 @ 5mA, 8V

當前-集電極(Ic)(最大值)

30mA

工作溫度

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安裝類型

Surface Mount

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