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2SC5226A-4-TL-E

2SC5226A-4-TL-E

僅供參考

型號 2SC5226A-4-TL-E
PNEDA編號 2SC5226A-4-TL-E
描述 RF TRANS NPN 10V 7GHZ 3MCP
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 4,014
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 五月 9 - 五月 14 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

2SC5226A-4-TL-E資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號2SC5226A-4-TL-E
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-RF
數據表
2SC5226A-4-TL-E, 2SC5226A-4-TL-E數據表 (總頁數: 8, 大小: 348.33 KB)
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2SC5226A-4-TL-E規格

制造商ON Semiconductor
系列-
晶體管類型NPN
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)10V
頻率-過渡7GHz
噪聲系數(dB Typ @ f)1dB @ 1GHz
增益12dB
功率-最大150mW
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce90 @ 20mA, 5V
當前-集電極(Ic)(最大值)70mA
工作溫度150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱SC-70, SOT-323
供應商設備包裝3-MCP

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增益

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功率-最大

210mW

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

60 @ 15mA, 3V

當前-集電極(Ic)(最大值)

35mA

工作溫度

175°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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晶體管類型

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

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頻率-過渡

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噪聲系數(dB Typ @ f)

3.5dB @ 450MHz

增益

25dB

功率-最大

200mW

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

30 @ 5mA, 10V

當前-集電極(Ic)(最大值)

30mA

工作溫度

-65°C ~ 200°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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供應商設備包裝

TO-72

MCH4009-TL-H

ON Semiconductor

制造商

ON Semiconductor

系列

-

晶體管類型

NPN

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

3.5V

頻率-過渡

25GHz

噪聲系數(dB Typ @ f)

1.1dB @ 2GHz

增益

13.5dB

功率-最大

120mW

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

50 @ 5mA, 1V

當前-集電極(Ic)(最大值)

40mA

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

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晶體管類型

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

40V

頻率-過渡

400MHz

噪聲系數(dB Typ @ f)

-

增益

-

功率-最大

300mW

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

30 @ 8mA, 10V

當前-集電極(Ic)(最大值)

50mA

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