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2SC3328-Y,T6CKF(J

2SC3328-Y,T6CKF(J

僅供參考

型號 2SC3328-Y,T6CKF(J
PNEDA編號 2SC3328-Y-T6CKF-J
描述 TRANS NPN 2A 80V TO226-3
制造商 Toshiba Semiconductor and Storage
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庫存 4,896
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 六月 7 - 六月 12 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

2SC3328-Y資源

品牌 Toshiba Semiconductor and Storage
ECAD Module ECAD
制造商零件編號2SC3328-Y,T6CKF(J
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-單
數據表
2SC3328-Y, 2SC3328-Y數據表 (總頁數: 5, 大小: 162.86 KB)
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2SC3328-Y規格

制造商Toshiba Semiconductor and Storage
系列-
晶體管類型NPN
當前-集電極(Ic)(最大值)2A
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)80V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic500mV @ 50mA, 1A
當前-集電極截止(最大值)1µA (ICBO)
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce70 @ 500mA, 2V
功率-最大900mW
頻率-過渡100MHz
工作溫度150°C (TJ)
安裝類型Through Hole
包裝/箱TO-226-3, TO-92-3 Long Body
供應商設備包裝LSTM

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

400mV @ 25mA, 250mA

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

200 @ 100mA, 5V

功率-最大

700mW

頻率-過渡

120MHz

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

500mV @ 2mA, 20mA

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

1.5V @ 600mA, 6A

當前-集電極截止(最大值)

700µA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

15 @ 3A, 4V

功率-最大

2W

頻率-過渡

3MHz

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

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當前-集電極(Ic)(最大值)

2A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

10V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

500mV @ 50mA, 2A

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

300 @ 500mA, 1V

功率-最大

500mW

頻率-過渡

150MHz

工作溫度

150°C (TJ)

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

350mV @ 150mA, 3A

當前-集電極截止(最大值)

20nA

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400 @ 1A, 2V

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