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2SC2655-Y,T6SWFF(M

2SC2655-Y,T6SWFF(M

僅供參考

型號 2SC2655-Y,T6SWFF(M
PNEDA編號 2SC2655-Y-T6SWFF-M
描述 TRANS NPN 2A 50V TO226-3
制造商 Toshiba Semiconductor and Storage
單價 請求報價
庫存 8,892
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 五月 10 - 五月 15 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

2SC2655-Y資源

品牌 Toshiba Semiconductor and Storage
ECAD Module ECAD
制造商零件編號2SC2655-Y,T6SWFF(M
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-單
數據表
2SC2655-Y, 2SC2655-Y數據表 (總頁數: 5, 大小: 167.4 KB)
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2SC2655-Y規格

制造商Toshiba Semiconductor and Storage
系列-
晶體管類型NPN
當前-集電極(Ic)(最大值)2A
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)50V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic500mV @ 50mA, 1A
當前-集電極截止(最大值)1µA (ICBO)
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce70 @ 500mA, 2V
功率-最大900mW
頻率-過渡100MHz
工作溫度150°C (TJ)
安裝類型Through Hole
包裝/箱TO-226-3, TO-92-3 Long Body
供應商設備包裝TO-92MOD

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

300mV @ 10mA, 100mA

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

100 @ 1mA, 5V

功率-最大

350mW

頻率-過渡

150MHz

工作溫度

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安裝類型

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包裝/箱

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

600mV @ 5mA, 30mA

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直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

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500mA

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300V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

500mV @ 2mA, 20mA

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

40 @ 30mA, 10V

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1W

頻率-過渡

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

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當前-集電極截止(最大值)

10nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

100 @ 150mA, 10V

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