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2SC2655-Y(T6ND1,AF

2SC2655-Y(T6ND1,AF

僅供參考

型號 2SC2655-Y(T6ND1,AF
PNEDA編號 2SC2655-Y-T6ND1-AF
描述 TRANS NPN 2A 50V TO226-3
制造商 Toshiba Semiconductor and Storage
單價 請求報價
庫存 5,058
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 五月 24 - 五月 29 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

2SC2655-Y(T6ND1資源

品牌 Toshiba Semiconductor and Storage
ECAD Module ECAD
制造商零件編號2SC2655-Y(T6ND1,AF
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-單
數據表
2SC2655-Y(T6ND1, 2SC2655-Y(T6ND1數據表 (總頁數: 5, 大小: 167.4 KB)
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2SC2655-Y(T6ND1規格

制造商Toshiba Semiconductor and Storage
系列-
晶體管類型NPN
當前-集電極(Ic)(最大值)2A
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)50V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic500mV @ 50mA, 1A
當前-集電極截止(最大值)1µA (ICBO)
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce70 @ 500mA, 2V
功率-最大900mW
頻率-過渡100MHz
工作溫度150°C (TJ)
安裝類型Through Hole
包裝/箱TO-226-3, TO-92-3 Long Body
供應商設備包裝TO-92MOD

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

600mV @ 5mA, 100mA

當前-集電極截止(最大值)

15nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

-

功率-最大

350mW

頻率-過渡

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工作溫度

150°C (TJ)

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200mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

40V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

300mV @ 5mA, 50mA

當前-集電極截止(最大值)

-

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

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當前-集電極(Ic)(最大值)

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

80V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

2.5V @ 50mA, 5A

當前-集電極截止(最大值)

500µA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

750 @ 3A, 3V

功率-最大

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