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2SC2229-Y(SAN2,F,M

2SC2229-Y(SAN2,F,M

僅供參考

型號 2SC2229-Y(SAN2,F,M
PNEDA編號 2SC2229-Y-SAN2-F-M
描述 TRANS NPN 50MA 150V TO226-3
制造商 Toshiba Semiconductor and Storage
單價 請求報價
庫存 7,668
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 30 - 五月 5 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

2SC2229-Y(SAN2資源

品牌 Toshiba Semiconductor and Storage
ECAD Module ECAD
制造商零件編號2SC2229-Y(SAN2,F,M
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-單
數據表
2SC2229-Y(SAN2, 2SC2229-Y(SAN2數據表 (總頁數: 5, 大小: 138.76 KB)
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  • 2SC2229-Y(SAN2,F,M Distributor

2SC2229-Y(SAN2規格

制造商Toshiba Semiconductor and Storage
系列-
晶體管類型NPN
當前-集電極(Ic)(最大值)50mA
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)150V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic500mV @ 1mA, 10mA
當前-集電極截止(最大值)100nA (ICBO)
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce70 @ 10mA, 5V
功率-最大800mW
頻率-過渡120MHz
工作溫度150°C (TJ)
安裝類型Through Hole
包裝/箱TO-226-3, TO-92-3 Long Body
供應商設備包裝TO-92MOD

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

2.8V @ 40mA, 2A

當前-集電極截止(最大值)

100µA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

750 @ 2A, 3V

功率-最大

40W

頻率-過渡

-

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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當前-集電極截止(最大值)

1µA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

100 @ 100mA, 5V

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

3V @ 40mA, 10A

當前-集電極截止(最大值)

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直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

1000 @ 5A, 4V

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

500mV @ 100mA, 3A

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

300 @ 10mA, 2V

功率-最大

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

40V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

1V @ 50mA, 500mA

當前-集電極截止(最大值)

-

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

40 @ 150mA, 10V

功率-最大

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