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2SB1709TL

2SB1709TL

僅供參考

型號 2SB1709TL
PNEDA編號 2SB1709TL
描述 TRANS PNP 12V 1.5A TSMT3
制造商 Rohm Semiconductor
單價 請求報價
庫存 4,662
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 五月 26 - 五月 31 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

2SB1709TL資源

品牌 Rohm Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號2SB1709TL
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-單
數據表
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PDF2SB1709TL數據表 封面
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2SB1709TL規格

制造商Rohm Semiconductor
系列-
晶體管類型PNP
當前-集電極(Ic)(最大值)1.5A
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)12V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic200mV @ 25mA, 500mA
當前-集電極截止(最大值)100nA (ICBO)
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce270 @ 200mA, 2V
功率-最大500mW
頻率-過渡400MHz
工作溫度150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱SC-96
供應商設備包裝TSMT3

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

1.5V @ 300mA, 3A

當前-集電極截止(最大值)

30µA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

120 @ 500mA, 5V

功率-最大

25W

頻率-過渡

8MHz

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

400V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

500mV @ 6mA, 50mA

當前-集電極截止(最大值)

100nA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

100 @ 50mA, 10V

功率-最大

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當前-集電極(Ic)(最大值)

100mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

50V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

300mV @ 10mA, 100mA

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

135 @ 1mA, 6V

功率-最大

150mW

頻率-過渡

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工作溫度

150°C (TJ)

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

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當前-集電極截止(最大值)

400nA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

20 @ 100mA, 1V

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