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2SB1697T100

2SB1697T100

僅供參考

型號 2SB1697T100
PNEDA編號 2SB1697T100
描述 TRANS PNP 12V 2A MPT3
制造商 Rohm Semiconductor
單價 請求報價
庫存 8,298
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 五月 31 - 六月 5 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

2SB1697T100資源

品牌 Rohm Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號2SB1697T100
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-單
數據表
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2SB1697T100規格

制造商Rohm Semiconductor
系列-
晶體管類型PNP
當前-集電極(Ic)(最大值)2A
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)12V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic180mV @ 50mA, 1A
當前-集電極截止(最大值)100µA (ICBO)
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce270 @ 200mA, 2V
功率-最大500mW
頻率-過渡360MHz
工作溫度150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱TO-243AA
供應商設備包裝MPT3

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當前-集電極(Ic)(最大值)

200mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

20V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

300mV @ 10mA, 100mA

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

120 @ 1mA, 2V

功率-最大

150mW

頻率-過渡

350MHz

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

SOT-723

供應商設備包裝

VMT3

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晶體管類型

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當前-集電極(Ic)(最大值)

100mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

45V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

650mV @ 5mA, 100mA

當前-集電極截止(最大值)

15nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

220 @ 2mA, 5V

功率-最大

350mW

頻率-過渡

100MHz

工作溫度

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制造商

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晶體管類型

NPN

當前-集電極(Ic)(最大值)

12A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

400V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

3V @ 3A, 12A

當前-集電極截止(最大值)

-

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

6 @ 8A, 5V

功率-最大

50W

頻率-過渡

4MHz

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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供應商設備包裝

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制造商

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晶體管類型

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當前-集電極(Ic)(最大值)

500mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

100V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

500mV @ 1mA, 10mA

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

25 @ 10mA, 10V

功率-最大

330mW

頻率-過渡

40MHz

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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當前-集電極(Ic)(最大值)

8A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

100V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

2.5V @ 80mA, 8A

當前-集電極截止(最大值)

50µA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

1000 @ 3A, 4V

功率-最大

2W

頻率-過渡

-

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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