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2SB1181TLP

2SB1181TLP

僅供參考

型號 2SB1181TLP
PNEDA編號 2SB1181TLP
描述 TRANS PNP 80V 1A SOT-428
制造商 Rohm Semiconductor
單價 請求報價
庫存 3,456
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 五月 6 - 五月 11 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

2SB1181TLP資源

品牌 Rohm Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號2SB1181TLP
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-單

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2SB1181TLP規格

制造商Rohm Semiconductor
系列-
晶體管類型PNP
當前-集電極(Ic)(最大值)1A
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)80V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic400mV @ 50mA, 500mA
當前-集電極截止(最大值)1µA (ICBO)
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce82 @ 100mA, 3V
功率-最大1W
頻率-過渡100MHz
工作溫度150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
供應商設備包裝CPT3

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

2V @ 5mA, 50mA

當前-集電極截止(最大值)

1mA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

30 @ 50mA, 10V

功率-最大

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

1V @ 200mA, 1A

當前-集電極截止(最大值)

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直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

30 @ 300mA, 10V

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

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當前-集電極截止(最大值)

1mA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

30 @ 600mA, 5V

功率-最大

70W

頻率-過渡

-

工作溫度

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當前-集電極(Ic)(最大值)

200mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

15V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

250mV @ 1mA, 10mA

當前-集電極截止(最大值)

400nA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

40 @ 10mA, 1V

功率-最大

625mW

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當前-集電極(Ic)(最大值)

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

100V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

340mV @ 500mA, 5A

當前-集電極截止(最大值)

10nA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

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