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2SA1930,Q(J

2SA1930,Q(J

僅供參考

型號 2SA1930,Q(J
PNEDA編號 2SA1930-Q-J
描述 TRANS PNP 2A 180V TO220-3
制造商 Toshiba Semiconductor and Storage
單價 請求報價
庫存 4,716
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 五月 15 - 五月 20 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

2SA1930資源

品牌 Toshiba Semiconductor and Storage
ECAD Module ECAD
制造商零件編號2SA1930,Q(J
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-單
數據表
2SA1930, 2SA1930數據表 (總頁數: 5, 大小: 138.32 KB)
PDF2SA1930數據表 封面
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2SA1930規格

制造商Toshiba Semiconductor and Storage
系列-
晶體管類型PNP
當前-集電極(Ic)(最大值)2A
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)180V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic1V @ 100mA, 1A
當前-集電極截止(最大值)5µA (ICBO)
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce100 @ 100mA, 5V
功率-最大2W
頻率-過渡200MHz
工作溫度150°C (TJ)
安裝類型Through Hole
包裝/箱TO-220-3 Full Pack
供應商設備包裝TO-220NIS

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

600mV @ 75mA, 1.5A

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

200 @ 100mA, 2V

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

400mV @ 150mA, 1.5A

當前-集電極截止(最大值)

1µA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

100 @ 500mA, 5V

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當前-集電極(Ic)(最大值)

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

250mV @ 500µA, 10mA

當前-集電極截止(最大值)

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