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2SA1586-Y,LF

2SA1586-Y,LF

僅供參考

型號 2SA1586-Y,LF
PNEDA編號 2SA1586-Y-LF
描述 TRANS PNP 50V 0.15A USM
制造商 Toshiba Semiconductor and Storage
單價 請求報價
庫存 24,384
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 五月 16 - 五月 21 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

2SA1586-Y資源

品牌 Toshiba Semiconductor and Storage
ECAD Module ECAD
制造商零件編號2SA1586-Y,LF
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-單

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2SA1586-Y規格

制造商Toshiba Semiconductor and Storage
系列-
晶體管類型PNP
當前-集電極(Ic)(最大值)150mA
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)50V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic300mV @ 10mA, 100mA
當前-集電極截止(最大值)100nA (ICBO)
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce120 @ 2mA, 6V
功率-最大100mW
頻率-過渡80MHz
工作溫度125°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱SC-70, SOT-323
供應商設備包裝USM

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當前-集電極(Ic)(最大值)

200mA

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25V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

300mV @ 5mA, 50mA

當前-集電極截止(最大值)

50nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

120 @ 2mA, 1V

功率-最大

350mW

頻率-過渡

300MHz

工作溫度

-

安裝類型

Surface Mount

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2V @ 40mA, 10A

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當前-集電極(Ic)(最大值)

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

100V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

200mV @ 100mA, 1A

當前-集電極截止(最大值)

100nA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

150 @ 250mA, 10V

功率-最大

830mW

頻率-過渡

100MHz

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Through Hole

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當前-集電極(Ic)(最大值)

600mA

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220V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

150mV @ 5mA, 50mA

當前-集電極截止(最大值)

50nA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

100 @ 10mA, 5V

功率-最大

1.2W

頻率-過渡

300MHz

工作溫度

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當前-集電極(Ic)(最大值)

100mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

45V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

650mV @ 5mA, 100mA

當前-集電極截止(最大值)

15nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

125 @ 2mA, 5V

功率-最大

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